A. M. Martínez Nagy1,2, S. Jaroszewicz3 , R. Faccio4 ; N. Jimenez1 , M. R. Soriano1 y Alicia Trigubó1,2
1. Dpto. de Ing. Química - Facultad Regional Buenos Aires, Universidad Tecnológica Nacional, Medrano 951, C1179AAQ, CABA, Argentina.
2. CINSO- CITEDEF-MINDEF-CONICET-UNIDEF, J. B. de La Salle 4397, 1603 V. Martelli, Pcia. de Bs. As., Argentina
3. Gerencia de Investigación y Aplicaciones, Comisión Nacional de Energía Atómica, Av. Gral. Paz 1499, San Martin, Argentina.
4. Centro NanoMat & Cryssmat-Lab, Facultad de Química, Universidad de la República. Uruguay.
E-mail: mrs@secyt.frba.utn.edu.ar
2. METODOLOGÍA
Los cálculos a 0K se realizaron con el programa WIEN2k [1], basado en la Teoría de Funcional de la Densidad (DFT) [2-3], que utiliza el método FPAPW+lo. Los potenciales de correlación e intercambio utilizados son: Generalized Gradient approximation (GGA) basados en la parametrización de PBE-GGA por Perdew, Burke and Ernzerhof [4].
Para el cálculo de las propiedades mecánicas en función de la temperatura de los semiconductores de CZT, se utilizó código de GIBBS2 [5-7].
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